1月5日，A股存储芯片板块拉升，多成分股涨停。其中，云汉芯城（301563.SZ）、恒烁股份（688416.SH）、普冉股份（688766.SH）、西侧测试（301306,SZ）20CM涨停，雷科防务（002413.SZ）、柏诚股份（601133.SZ）、兆易创新（603986.SH）、东方中科（002819.SZ）、立昂微（605358.SH）10CM涨停。
消息面上，近日，三星联席首席执行官卢泰文表示，内存芯片短缺“前所未有”且“极其严重”，并警告这将对智能手机等终端产品的价格产生“不可避免”的影响。
需求端爆发引供需失衡
作为全球存储芯片行业的龙头企业，三星的表态无疑为当前的市场短缺状况提供了权威佐证。卢泰文在接受采访时强调，此次内存芯片短缺的影响范围极为广泛，不仅覆盖智能手机领域，还波及电视、家用电器等各类消费电子产品，“没有哪家公司能免受影响。”。
尽管其未明确给出产品涨价的具体时间表，但也未排除提价可能，仅表示三星正与合作伙伴制定长期策略以尽量降低影响。
这一表态并非空穴来风，此前行业已有诸多信号显现：2025年四季度以来，DRAM、NAND闪存等核心存储产品价格持续飙升，其中DDR4 16Gb产品涨幅高达1800%，512Gb NAND闪存涨幅也达到300%，消费级内存条价格更是出现短期内翻倍的极端行情。
深入探究此次内存芯片短缺的根源，不难发现其并非传统行业周期的简单重复，而是AI产业爆发驱动下的结构性供需失衡。随着Google、Meta、微软、亚马逊等北美四大云厂持续扩大AI基础设施投资，2026年总投资金额有望达到6000亿美元的历史新高，AI训练与推理对存储芯片的需求呈爆发式增长。数据显示，一台AI服务器对DRAM和NAND的需求量分别是普通服务器的8倍和3倍，仅OpenAI等巨头的大模型项目就消耗着全球近40%的DRAM晶圆产能。
更为关键的是，AI所需的高带宽内存（HBM）等高端产品制造难度更大，生产1GB HBM消耗的晶圆产能相当于4GB标准DRAM，进一步加剧了产能紧张。
价格涨势或将延续至2028年初
三星预警的终端产品价格上涨压力，已逐步传导至产业链各环节。
对于智能手机行业而言，内存成本占中端机型BOM成本的15%—20%，高端旗舰机型约为10%—15%，内存价格飙升将直接挤压厂商利润空间。IDC预测，2026年全球智能手机市场可能呈现“规模收缩+均价上涨”的格局，中度下行场景下，市场规模同比下降2.9%，平均售价上涨3%—5%；悲观场景下，市场规模下降5.2%，均价上涨6%—8%，低端机型受冲击更为显著。
电脑市场的压力则更为突出，联想、戴尔等主流厂商已发出预警，2026年行业将普遍提价15%—20%，同时AI PC推广也因内存短缺受阻——这类设备最低需16GB内存，而当前内存供应紧张且成本高企，可能导致厂商被迫降低配置或抬高售价。
值得注意的是，此次存储行业的景气周期有望持续较长时间。机构普遍预测，行业高景气度将至少延续至2027年，真正具备实质意义的新增供给最早要到2028年初才会出现。
一方面，需求端的增长动力强劲，除AI服务器外，汽车电子、工业控制等领域需求同步复苏，L3+自动驾驶对存储的需求是传统车型的10倍以上，进一步加剧供需紧张；另一方面，供给端扩张存在刚性约束，全球存储巨头的新增产能建设周期较长，且短期均聚焦高端产品，传统存储产能难以快速补充。
在此背景下，存储芯片价格上涨趋势明确，2026年一季度存储合约价格预计继续攀升，涨幅将达到30%—40%，DDR5 RDIMM内存价格涨幅可能超过40%。
上市企业或迎高盈利
基于存储芯片价格的明确涨势，爱建证券等机构明确指出，受益于AI服务器高景气与智能手机存储参数升级周期，存储行业将开启新一轮发展周期，国产存储产业链迎来重要机遇期。
机构调研数据显示，近三个月已有40只存储芯片概念股获得机构关注，江波龙、东芯股份等企业成为调研焦点，反映出市场对存储板块投资价值的高度认可。
对上市企业而言，受益于高端产品的量价齐升，盈利确定性极高，尤其是如美光科技、SK海力士等核心龙头企业。
其中，SK海力士以HBM +高端DRAM双线产品结构锁定高溢价，以先进工艺与产能优化降本提效，以客户绑定与价格策略放大涨价红利，以NAND与成本管控夯实利润底座，形成“高价值+低成本+强定价+稳运营”的四维盈利提升体系。
此外，包括兆易创新、江波龙等存储芯片及模组龙头，澜起科技等内存接口芯片企业，以及北方华创、中芯国际等产业链设备与制造企业，将充分享受行业周期与国产替代的双重红利。
其中，江波龙以高毛利产品结构+自研主控提溢价、TCM/PTM模式+低成本库存释放涨价红利、供应链绑定+产能精准分配降本保供、费用与库存动态管控夯实利润，形成“产品升级+模式创新+供应链优化+运营提效”的四维盈利提升体系。
在产业链细分环节，如中微公司、拓荆科技等设备材料企业，长电科技、通富微电等封测企业，将受益于行业扩产与高端产品需求提升。
其中，中微公司是国内领先的半导体高端设备厂商，核心产品为等离子体刻蚀设备与MOCVD设备，技术覆盖5nm及更先进制程，刻蚀设备市占率持续提升，MOCVD设备在氮化镓基LED领域全球领先，同时布局LPCVD/ALD等薄膜设备，2024年营收90.65亿元、同比增44.73%，正迈向全球半导体设备第一梯队。